Главная / Физико-технический / Физики твердого тела и технология новых материалов / Рягузов Александр Павлович
Рягузов Александр Павлович
Должность: Ассистент-профессор
Физики твердого тела и технология новых материалов
Scopus author ID: 6508391685
Скрыто
Я, Рягузов Александр Павлович, родился 22 июля 1964 года в Киргизской Республике. Гражданин
Республики Казахстан.
В 1989 году окончил Казахский национальный университет им. С.М. Кирова по специальности
«физика». С первых лет обучения начал заниматься научными исследованиями в области физики
конденсированного состояния.
22 октября 2004 года успешно защитил кандидатскую диссертацию на тему: «Исследование влияния
ближнего и среднего порядков структуры на электронные свойства сульфида и селенида мышьяка»
по специальности 01.04.07 — физика конденсированного состояния. Индекс Хирша по базе Scopus
— 8.
Трудовая и научная деятельность
Моя профессиональная деятельность связана с Казахским национальным университетом им. аль-
Фараби, где я работаю с 1989 года:
1986 г. — учитель физики средней школы №16 г. Актау (г. Шевченко).
1989 г. — сотрудник КазНУ им. аль-Фараби.
1995 г. — СНС НИИЭТФ, отдел физики твёрдого тела, КазНУ им. аль-Фараби.
12.08.2008 – 28.12.2010 — директор ДГП на ПХВ «Национальная нанотехнологическая лаборатория
открытого типа» КазНУ им. аль-Фараби.
с 01.01.2011 г. — ведущий специалист кафедры физики твёрдого тела и материаловедения КазНУ
им. аль-Фараби.
с 01.09.2011 г. по н.в. — заведующий лабораторией оптических методов исследования ДГП на ПХВ
ННЛОТ РГП на ПХВ КазНУ им. аль-Фараби.
За годы работы мною опубликовано более 130 научных статей в отечественных и зарубежных
изданиях, включая рецензируемые журналы.
С 1991 по 2017 годы принимал участие в 17 научно-исследовательских проектах, среди которых:
«Физические свойства твёрдых тел»,«Структурная самоорганизация в полупроводниках»,
«Электронные процессы в конденсированных средах», «Структурно-примесная модификация аморфных
плёнок халькогенидов», «NATO for Peace» — Creation of New Strong Metal/Polyimide Films with
Definable Reflectivity, проекты МНТЦ, фундаментальные исследования и прикладные разработки.
Был руководителем научных проектов:
№ ГР 0112РК00873 (2011–2013) — нанокластеры металлов;
№ ГР 0115РК00524 (2014–2017) — наноструктурированные гидрогенизированные углеродные среды;
№ ГР 0118РК00158 / AP05131495 (2018–2020) — композиты на основе углеродных сред с
наночастицами металлов платиновой группы.
№ ГР 0120РК00582 / AP08855745 (2020–2022)
«Разработка наноструктурированных композитных материалов на основе кремнийсодержащих
аморфных
алмазоподобных углеродных плёнок
Первое высшее образование
Ученая степень
| Название файла | Заголовок | Описание |
|---|---|---|
Материалы оптики и оптоэлектроники |
|
|
Материалы оптики и оптоэлектроники |
|
|
Технологические процессы производства полупроводниковых материалов |
|
|
Технологические процессы производства полупроводниковых материалов |
|
1
Рягузов Александр Павлович
2018 - г.
7 - стр.
10
2
Рягузов Александр ПавловичГусейнов Н.Р., Немкаева Р.Р., Пешая С.Л.
2019 - г.
9 - стр.
127
3
Рягузов Александр ПавловичПешая С.Л., Гусейнов Н.Р., Немкаева Р.Р.
Влияние неравновесных условий синтеза на структуру и оптические
свойства аморфных углеродных пленок
2019 - г.
9 - стр.
127
4
Рягузов Александр ПавловичГусейнов Н.Р., Немкаева Р.Р.
2019 - г.
4 - стр.
0
5
Рягузов Александр Павлович
The effect of nonequilibrium conditions on the structure and optical properties of amorphous carbon films
2019 - г.
9 - стр.
127
6
Рягузов Александр ПавловичГусейнов Н.Р., Немкаева Р.Р., Пешая С.Л.
Влияние неравновесных условий синтеза на структуру и оптические свойства пленок аморфного углерода
2019 - г.
9 - стр.
127
1
Рягузов Александр Павлович
Гусейнов Н.Р., Немкаева Р.Р., Мырзабекова М.М.
2019 - г.
4 - стр.
Al Farabi Kazakh National University
Документы автора
18
Цитирования
111 по 89
документам
h-индекс
8
Nanocomposite materials based on amorphous SiC-containing DLC structures modified with rhodium nanoparticles
Ryaguzov, A., Nemkayeva, R., Guseinov, N., Kudabayeva, M.
2024
Diamond and Related Materials
144, с.
2
ЦитированийInfluence of Si atoms on the structure and electronic properties of amorphous DLC films
Ryaguzov, A., Kudabayeva, M., Myrzabekova, M., Nemkayeva, R., Guseinov, N.
2023
Journal of Non Crystalline Solids
599, с.
8
ЦитированийStudy of the influence of palladium nanoparticles on the structure of DLC films synthesized on silicon (100) substrates
Ryaguzov, A.P., Assembayeva, A.R., Myrzabekova, M.M., Nemkayeva, R.R., Guseinov, N.R.
2022
Diamond and Related Materials
126, с.
3
ЦитированийPercolation conductivity in amorphous carbon films modified with palladium nanoparticles
Ryaguzov, A.P., Nemkayeva, R.R., Guseinov, N.R., Assembayeva, A.R., Zaitsev, S.I.
2020
Journal of Non Crystalline Solids
532, с.
4
ЦитированийResearch of the structure of a-C<Pd>films by the Raman spectroscopy method
Assembayeva, A., Ryaguzov, A., Nemkayeva, R., Guseinov, N., Myrzabekova, M.
2019
Materials Today Proceedings
25, с. 58-63
3
ЦитированийStructure and properties of a-C films modified with Ir nanoparticles
Bekmurat, F., Nemkayeva, R.R., Guseinov, N.R., Myrzabekova, M.M., Ryaguzov, A.P.
2019
Materials Today Proceedings
25, с. 13-16
0
ЦитированийStudy of the structure of amorphous carbon films modified with silicon oxide
Ryaguzov, A.P., Kudabayeva, M.A., Nemkayeva, R.R., Guseinov, N.R., Myrzabekova, M.M.
2019
Eurasian Physical Technical Journal
16, с. 6-11
1
ЦитированийThe Effect of Nonequilibrium Synthesis Conditions on the Structure and Optical Properties of Amorphous Carbon Films
Ryaguzov, A.P., Nemkayeva, R.R., Yukhnovets, O.I., Guseinov, N.R., Mikhailova, S.L., Bekmurat, F., Assembayeva, A.R.
2019
Optics and Spectroscopy
127, с. 251-259
13
ЦитированийInfluence of the Synthesis Conditions and Tin Nanoparticles on the Structure and Properties of a-C:H〈Sn〉 Composite Thin Films
Ryaguzov, A.P., Nemkayeva, R.R., Guseinov, N.R.
2018
Semiconductors
52, с. 1327-1333
0
ЦитированийAmorphous hydrogenated carbon films. Synthesis, structure and properties
Ryaguzov, A.P., Nemkayeva, R.R., Alpysbaeva, B.E., Aliaskarov, R.K.
2016
Journal of Physics Conference Series
751, с.
2
ЦитированийVisible Raman spectroscopy of carbon films synthesized by ion-plasma sputtering of graphite
Ryaguzov, A.P., Yermekov, G.A., Nurmamytov, T.E., Nemkayeva, R.R., Guseinov, N.R., Aliaskarov, R.K.
2016
Journal of Materials Research
31, с. 127-136
13
ЦитированийElectronic properties of diamond-like carbon films modified by silver nanoclusters
Sarsembinov, S.S., Prikhodko, O.Y., Ryaguzov, A.P., Maksimova, S.Y., Daineko, Y.A., Mahmoud, F.A.
2010
Physica Status Solidi C Current Topics in Solid State Physics
7, с. 805-807
11
ЦитированийOn nanoheteromorphous structure in amorphous As2S3 films prepared by different methods
Sarsembinov, S.S., Prikhodko, O.Y., Ryaguzov, A.P., Maksimova, S.Y., Daineko, E.A., Iskakov, R.M., Ushanov, V.Z.
2010
Physica Status Solidi C Current Topics in Solid State Physics
7, с. 897-900
0
ЦитированийAtomic structure and short- and medium-range order parameters in amorphous chalcogenide films prepared by different methods
Sarsembinov, S.S., Prikhodko, O.Y., Ryaguzov, A.P., Maksimova, S.Y., Ushanov, V.Z.
2007
Journal of Non Crystalline Solids
353, с. 2057-2061
9
ЦитированийLocal structure and electronic properties of amorphous As2S 3 films prepared by different methods
Sarsembinov, S.S., Prikhodko, O.Y., Ryaguzov, A.P., Maksimova, S.Y., Ushanov, V.Z.
2004
Semiconductor Science and Technology
19, с. 787-791
10
ЦитированийDifferences in local structure between amorphous As-Se films prepared by different methods
Sarsembinov, S.S., Prikhodko, O.Y., Ryaguzov, A.P., Maksimova, S.Y., Ushanov, V.Z.
2002
Semiconductor Science and Technology
17, с. 1072-1074
11
ЦитированийCorrelation between medium-range order in atomic structure and optical properties of amorphous AsSe films
Sarsembinov, S.S., Prikhodko, O.Y., Ryaguzov, A.P., Maksimova, S.Y.
2001
Semiconductor Science and Technology
16, с. L44-L46
9
ЦитированийComparison of atomic structures and electronic properties of amorphous AsSe films
Sarsembinov, S.S., Prikhodko, O.Y., Ryaguzov, A.P., Maksimova, S.Y.
2001
Semiconductor Science and Technology
16, с. 872-876